晶圆电镀工艺_晶圆电镀工艺流程

晶圆电镀工艺流程财经行业讯2024年2月2日，根据国家知识产权局公告，盛美半导体设备（上海）有限公司申请的项目名称为“晶圆电镀装置及电镀中的清洗方法”公开号CN117488385A，申请日为2022年7月。专利摘要显示，本申请提供了一种晶圆电镀装置及电镀过程中的清洗方法。电镀装置包括晶片。

在晶圆电镀过程中，第二环形挡板将液体收集槽分隔成上下同轴设置的上收集槽和下收集槽。当晶片电镀装置进行冲洗操作时，待冲洗工件位于第二环形挡板上方，液体收集槽用于收集从待冲洗工件上甩出的冲洗液。使用这种保护罩可以有效平衡晶圆电镀过程中的水滴和化学物质的量。

晶圆电镀工艺视频可以通过溶液蚀刻或干法蚀刻或激光切割或图案化电镀工艺来实现晶圆端部导电基板的预分割。基于此，在后续制备亚半导体单元阵列后，无需进行切割和劈裂，从而避免了后续导电基板切割中机器昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、拉边、金属颗粒等问题。过程。污染等一系列问题稍后介绍。

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晶圆电镀分为几种类型。晶圆级先进封装测试是介于前端晶圆制造和后端封装测试之间的中端半导体制造工艺。它使用光刻、蚀刻、电镀、PVD、CVD、CMP 和Strip。等待前端晶圆制造工艺实现凸块、重新布线（RDL）、扇入（Fan-in）、扇出（Fan-out）、硅通孔（TSV）等工艺技术，不仅可以将芯片直接封装在晶圆上，端部。

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